English version

Formularz logowania

zarejestruj się


Drukuj

T. Opalińska, B. Ulejczyk, L. Karpiński, K. Schmidt-Szałowski

Osadzanie cienkich warstw zawierających krzemionkę na poliwęglanach metodą

impulsowego wyładowania z barierą dielektryka (j. ang.)

Polimery 2004, nr 4, 257


Streszczenie

Wymienioną w tytule cienką warstwę osadzano z mieszaniny gazowej helu, tlenu i tetraetoksysilanu (TEOS) (tabela 1) w aparaturze przedstawionej schematycznie na rys. 1-3. Proces prowadzono pod ciśnieniem atmosferycznym bez podgrzewania podłoża poliwęglanowego (PC) w postaci płytek. Zbadano wpływ parametrów procesu, mianowicie sposobu ułożenia płytek PC w reaktorze (rys. 7, 9 i 10), składu gazu plazmotwórczego (rys. 8) oraz natężenia prądu w pojedynczym impulsie wyładowania na szybkość osadzania. Szybkość ta rosła od 3,4 do 40,8 nm/min wraz ze wzrostem natężenia prądu w pojedynczym impulsie od 50 do 100 A. Stwierdzono, że w procesie tworzenia cienkiej warstwy konieczna jest obecność tlenu w gazach plazmotwórczych, przy czym nadmiar tlenu powoduje zmniejszenie szybkości osadzania z 14,9 do 6,0 nm/min, gdy stężenie tlenu wzrasta od 5 do 20% obj. (tabela 2). Budowę chemiczną oraz morfologię osadzonych warstw scharakteryzowano metodami FT-IR (rys. 4), AFM (mikroskopia sił atomowych, rys. 5) oraz SEM (rys. 6). Cienka warstwa składała się z następujących pierwiastków: Si, C, O oraz H i charakteryzowała się gładkością, a także przezroczystością.


Słowa kluczowe: wyładowanie impulsowe, tetraetoksysilan, cienka warstwa, poliwęglan

T. Opalińska, B. Ulejczyk, L. Karpiński, K. Schmidt-Szałowski (1.03 MB)
Osadzanie cienkich warstw zawierających krzemionkę na poliwęglanach metodą impulsowego wyładowania z barierą dielektryka (j. ang.)